爱游戏-三星半导体在2024 ODCC上分享生成式AI时代大容量高性能的存储解决方案

[导读]深圳2024年9月3日 /美通社/ -- 9月3日，由开放数据中间委员会 (ODCC) 主办的"2024开放数据中间峰会"在北京国际会议中间盛大召开。三星电子副总裁兼闪存利用工程师团队负责人，沈昊俊在会上颁发了"跨入将来：人工智能时期的存储立异&qu...

深圳2024年9月3日 /美通社/ -- 9月3日，由开放数据中间委员会 (ODCC) 主办的 2024开放数据中间峰会 在北京国际会议中间盛大召开。三星电子副总裁兼闪存利用工程师团队负责人，沈昊俊在会上颁发了 跨入将来：人工智能时期的存储立异 的主题演讲。他深切浅出的介绍了鞭策社会进入生成式AI新时期的三年夜身分，即计较能力的奔腾，年夜说话模子（LLM）的精进，和各类AI办事的鼓起，并进一步切磋了生成式AI时期 更优AI 的手艺趋向，指出新时期面对的挑战不但仅是存储器年夜容量的需求，跟着迈向更周详的AI模子，存储器的高机能读写能力也是当下面对的庞大挑战。

三星电子副总裁，闪存利用工程师团队负责人沈昊俊（Thomas Shim）颁发主题演讲

演讲中，沈昊俊介绍了为解决这些问题三星半导体提出的存储解决方案和行业主流利用趋向。为降服机能和容量的制约，采取并行搭载HBM和DRAM的体例正在逐步成为行业趋向。此中HBM在机能方面饰演主要脚色，DRAM则日趋冲破内存容量限制，知足市场对年夜容量的需求。

关在今朝行业主流利用的年夜容量存储产物，沈昊俊别离介绍了三星半导体今朝单芯片容量最年夜32Gb的DDR5内存产物，不久将可供给128GB/256GB等年夜容量封装规格；和具有今朝三星最高随机写入机能400K IOPS的高机能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。

关在机能冲破方面，三星的首要代表产物有经由过程12层单die24Gb容量堆叠手艺实现的36GB容量的HBM3E Shine Bolt，每引脚速度可达三星最快8Gbps，峰值速度高达1TB/s；在此同时三星在存内处置手艺上获得显著进展，LPDDR5X-PIM产物可以或许将系统能效提高江南体育70%摆布，同时可以将机能晋升最多8倍。

最后，三星从总本钱优化（TCO）层面申明了CXL存储产物可在任何xPU情况中扩大容量和机能，和无需兼容性验证便可引入和运行的优势，并进一步强调将来年夜容量趋向中，基在QLC NAND手艺的SSD产物BM1743将来可供给的年夜容量规格打算。

三星在2024 ODCC上荣获产物奖项

三星在本次2024开放数据中间峰会上取得了 优异合作火伴 的称号，与此同时，沈昊俊也强调了在手艺挑战眼前合作无懈的主要性。三星将一如既往地与合作火伴和客户联袂合作，配合降服内存手艺的挑战，将不肯定性转化为机缘，联袂首创AI时期的将来。

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